图13(a)是实验用电路板的pattern layout图,基本上它是改变配线长度与配线回绕条件所制成,也就是说电路板的配线长度是改变有无micro strip line,以及周围有无ground shield等条件制成。图13(b)是电路板的剖面图,图中248Ω line是假设配线下方无ground层;144Ω line则是假设使用双层板,而且配线的1.6mm下方与周围有ground层;100Ω line与50Ωline则是假设配线的0.44mm下方与周围有ground层,而且两者都被ground better围绕。虽然电路板厂商有提供电路板的厚度与target impedance等数据,不过经过传输模拟实验的结果与利用图1的计算式计算的阻抗(impedance)结果,证实与厂商提供的数据几乎完全相同。
基本上本实验是利用图13的实验用电路板构成图14的电路,接着改变pattern与终端条件观测传输信号的波形变化,基于示波器的功能与测试系统的极限等因素,因此信号频率抑制在4MHz,相对于clock信号便可容易判读反射波形。
图15是未作终端,配线长度200mm,各种pattern的clock波形量测结果,由图可知micro strip line的反射程度祇比一般配线稍低。
图16是与图15完全相同的pattern上,增设51Ω直列终端之后的clock波形,由图可知在50Ω的micro strip line增设直列终端可有效降低反射。
图17是51Ω的micro strip line,配线长度分别是50mm与200mm,直列终端有无也列入parameter时的波形量测结果,终端由图可知无终端时,虽然配线长度50mm与200mm的反射衰减时间有差异,不过两者的反射波形level几乎没有任何差异。如果作51Ω直列终端时,短配线可有效收敛反射。
图18是使用比74AC541更高速的74VHC541电子组件时的波形变化量测结果,图18(a)是74AC541的波形变化,图18(b)是74VHC541的波形变化。由图可知74VHC541高速电子组件的反射level较大;图18(b)与图18(c)比较时,配线阻抗与反射level两者都呈现下降趋势。图18(d)的阻抗条件与图18(c)相同,不过反射level却大幅降低。
图19是使用74VHC541高速电子组件,将clock信号流入248Ω一般配线,藉由终端方式的不同量测传输延迟的结果。由图可知51Ω时信号传输延迟为1ns,100Ω时信号传输延迟为2ns,配线长度100mm时信号传输延迟为0.6ns。值得注意的是这该现象可能是配线长度不同使skew发生改变,或是直列终端的调整所造成。
虽然利用模拟分析与示波器作波形可以观测反射波是否衰减,不过却无法知道高频波噪讯level,因此必需利用电波暗室与频谱分析仪(spectrum analyzer)量测。不过本实验针对电路与电子组件的不同,祇量测放射噪讯的差异,所以并未使用传统
EMI量测手法,同时也未作天线校正等动作。
图20是将100MHz的clock信号分别流入配线长度200mm,pattern阻抗为248Ω、100Ω、50Ω的时噪讯波形特性,本实验使用的drive为74VHC541,pattern作51Ω的直列终端。根据测试结果显示阻抗较低的50Ω micro strip line的放射噪讯比较低。
图21是利用有无终端量测放射噪讯的结果,此外本实验使用的clock频率为4MHz。由于测试结果可知248Ω的一般配线由于噪讯level很高,虽然终端阻抗的效果有限,不过整体而言有作终端阻抗却可抑制放射噪讯,此外由micro strip line构成的配线在高频领域的噪讯不论有无终端阻抗,却可在低频领域产生终端阻抗的效果。
图22是利用不同长度的配线量测放射噪讯的差异,有关248Ω一般配线与50Ω micro strip line的配线长度长度分别是200mm、100mm、50mm ,clock频率为100MHz,未作终端阻抗。根据量测结果显示不论配线种类,配线越短放射噪讯越低。
图23是利用电子组件站立/下降速度的差异与电源电压的差异,量测放射噪讯值变化的结果,根据量测结果显示电源电压从5V降至3.3V,未作终端时并不会因为电子组件站立/下降速度的差异改变放射噪讯值,不过作51Ω直列终端时,站立/下降速度较慢的74AC541电子组件的放射噪讯值就会明显降低。
结语
综合以上结果可得出以下的结论: