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基于数字信号处理器的
IGBT
驱动电路可靠性分析与设计
2013-03-18
王建渊 钟彦儒 张晓滨
11
摘要:随着半导体技术与大规模集成电路技术的发展,数字信号处理器在交流调速及运动控制领域应用越来越广。数字信号处理器与功率器件接口电路设计的合理完善直接关系到系统长期工作的可靠性。同时,低压供电数字信号处理器也对驱动接口电路设计提出了要求。通过分析
IGBT
对驱动可靠性的要求及应用于变频器的几种数字信号处理 .. [
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]
一种新型实用的
IGBT
驱动电路
2013-02-09
王永 刘志强 刘福贵
7
摘要:在分析了
IGBT
驱动条件的基础上介绍了几种常见的
IGBT
驱动电路,并给出了各自的优缺点。给出了自行设计的一种简单、实用的新型
IGBT
驱动电路。经实践表明,该电路经济、实用、安全、可靠,同时具有
IGBT
过电流保护功能,具有很好的应用前景。 1 引言 绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)简称IGB .. [
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]
基于EXB841的
IGBT
驱动电路优化设计
2013-01-31
孟志强 陈燕东 周华安
9
IGBT
是一种由双极晶体管与MOSFET组合的器件,既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性,又具有双极晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点,作为高功率大电流的电能变换功率开关器件得到了广泛的应用.
IGBT
的门极驱动电路影响
IGBT
的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力及du/dt等参数,并决定了
IGBT
的静态 .. [
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]
基于UC3844的多路输出
IGBT
驱动电源设计
2013-01-11
张志薇 吴辉 贲洪奇
15
摘要:介绍一种采用UC3844集成芯片实现的多路输出单端反激式
IGBT
驱动电源。根据设计要求给出了该电路的具体设计步骤及电路参数。实验结果表明,该电源的可靠性高,稳定性好,输出纹波小,能够适应电网电压10% 和负载20% 的波动。 近年来,随着电力电子技术的发展,各个应用领域对电源的体积、重量、效率等方面提出了越来越 .. [
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]
IGBT
模块驱动及保护技术
2013-01-02
蒋怀刚 李乔 何志伟
13
1 引言
IGBT
是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT
是电压控制型器件,在它的栅极?发射极间施加十几V的直流电压,只有μA .. [
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]
IRG系列
IGBT
管主要参数
2013-01-01
11
IGBT
三极管问世仅20余年,它是功率场效应管与普通双极型(PNP或NPN)管复合后的一种新型半导体器件,即绝缘栅、双极晶体管,简称
IGBT
管,它综合了场效应管开关速度快、控制电压低和双极晶体管电流大、反压高、导通时压降小的优点。目前,最高工作频率(fT)已超过150kHz、最高反压(BVcbo)≥1700V、最大电流(ICM)≥ .. [
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]
IGBT
功率元件的应用及保护技术
2012-12-09
12
1 引言 随着半导体元件制造工艺的完善和制造技术的提高,半导体功率元件正朝着大电流、高电压、快通断、功耗小、易保护、模块化方向发展,现已出现了双极性晶体管GTR、功率场效应管MOSFET、功率绝缘栅控双极性晶体管
IGBT
。
IGBT
晶体管是集GTR与MOSFET二者优点于一体的复合器件,它既有MOSFET的输入阻抗高、速度快、开 .. [
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]
IGBT
和MOSFET 器件的隔离驱动技术
2012-12-04
王华 彪北
14
1 引言开关电源中大功率器件驱动电路的设计一向是电源领域的关键技术之一。普通大功率三极管和绝缘栅功率器件(包括MOSFET场效应管和
IGBT
绝缘栅双极性大功率管等),由于器件结构的不同,具体的驱动要求和技术也大不相同。前者属于电流控制器件,要求合适的电流波形来驱动;后者属于电场控制器件,要求一定的电压来驱动。本 .. [
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IGBT
管的万用表检测方法
2012-11-27
13
IGBT
管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将
IGBT
管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻,对于正常的
IGBT
管(正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼 .. [
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一种适用于大功率
IGBT
模块串联工作的新型驱动电路
2012-11-22
陶小辉 张建华 王旭明
12
1 引言 随着电力电子技术的飞速发展,特别是
IGBT
(Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极晶体管)和MOSFET (Metallic oxide semiconductor field effecttransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)等高频自关断器件应用的日益广泛,驱动电路的设计就显得尤为重要。本文介绍了一种以CONCEPT公司的IGD515EI驱动器为主要 .. [
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]
IGBT
在不间断电源中的应用
2012-11-18
郑旺发 郭贵华
8
1. 引言 在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和
IGBT
,
IGBT
既有功率MOSFET 易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低,通态电流大的优点、使用
IGBT
成为UPS 功率设计的首选,只有对
IGBT
的特性充分了解和对电路进行可靠性设计,才能发挥
IGBT
的优点。本文介绍UPS .. [
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IGBT
集成驱动模块的设计
2012-08-09
33
1驱动保护电路的原则 由于是电压控制型器件,因此只要控制ICBT的栅极电压就可以使其开通或关断,并且开通时维持比较低的通态压降。研究表明,
IGBT
的安全工作区和开关特性随驱动电路的改变而变化。因此,为了保证
IGBT
可靠工作,驱动保护电路至关重要。
IGBT
驱动保护电路的原则如下。 (1) .. [
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